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從2016年第四季度開始，固態(tài)硬盤和內(nèi)存價(jià)格就開始快速上漲，平均都達(dá)到了30%的漲幅，到今年華為P10“存儲門”的事件，大家明顯的感覺到flash芯片真的很缺貨了。日前存儲器控制芯片大廠群聯(lián)董事長潘健成對媒體表示，目前 NAND Flash 芯片需求相當(dāng)強(qiáng)勁，加上主要廠商大多表示，未來 3 年產(chǎn)能仍無法滿足市場需求的情況下，因此預(yù)期 2017 年第 3 季 NAND Flash 會比 2017 年第 1 季還要缺貨，可能會是史上最缺貨的一季的說法，外資也跟著表示，因?yàn)槲磥硇驴钍謾C(jī)內(nèi)建儲存容量不斷提高的情況下，2017 年 NAND Flash 缺貨的情況將不容易緩解。

根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會有大幅度提升。
 
但是，在 NAND 技術(shù)升級還要面臨良率的問題考驗(yàn)下，產(chǎn)能是否能夠順利提升恐怕還有門檻。另外，在推動(dòng) NAND Flash 需求上漲的諸多原因中，手機(jī)內(nèi)建存儲容量的增加確實(shí)是個(gè)重要關(guān)鍵。隨著目前行動(dòng) App 容量越來越大，部分手機(jī)游戲的容量已經(jīng)不比單機(jī)游戲小。加上實(shí)時(shí)通訊軟件的快速發(fā)展，包括聊天紀(jì)錄、語音通話、圖片檔案等，都讓手機(jī)內(nèi)建儲存需求直線上升。
 
因此，從之前的 16/32GB ，一躍到目前的 32/64GB 內(nèi)建儲存容量，導(dǎo)致 NAND Flash 的需求翻倍上漲，更別說很多高端手機(jī)的內(nèi)建儲存容量直接達(dá)到 128GB 的規(guī)模，都讓 NAND Flash 市場供貨更加吃緊。
 
此外，2017 年秋季，在蘋果即將發(fā)表的新一代 iPhone 系列手機(jī)中，大家最關(guān)注的就是所謂的 10 周年紀(jì)念版的部分。因?yàn)?，除了搭?OLED 屏幕、無線充電、高屏幕占比等賣點(diǎn)之外，據(jù)稱儲存容量也會大幅增加以符合其地位。
 
因此起步容量就達(dá)到了 128GB，這相較目前 32GB 的起步容量要大得多。如此，不但將大幅增加市場需求，加劇 NAND Flash 的缺貨問題。因此，在市場需求不斷提升，但是產(chǎn)能又跟不上需求的情況下，2017 年 NAND Flash 的供貨吃緊狀況恐將難以紓解。